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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]功率器件-CN201810965690.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市南硕明泰科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件，其包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层；自所述外延层的上表面向下延伸的第二导电类型的主结；与所述主结相邻，且在垂直于衬底的上表面的方向上自所述外延层的上表面向下延伸的结终端扩展结构所述功率器件可以在内部直接串联或并联其他器件。
上表面外延层衬底功率器件向下延伸主结第一导电类型扩展结构结终端垂直导电类型直接串联并联厚氧填充

[发明专利]功率器件-CN201410251124.7在审
发明人：黄泽军 -专利权人：深圳市锐骏半导体有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种功率器件，其包括有一框架、一芯片及一封装体，其中，所述框架包括有一载片、至少一位于所述载片上方的第一散热片及至少一连结所述载片边缘和第一散热片边缘的侧板；所述芯片设置于所述载片上且处于所述第一散热片的正下方藉由该第一散热片及侧板的设置，增加了整个器件的散热面积，提高了功率器件的散热效果，同时，使得该芯片处于由载片、第一散热片及侧板所围成的空间中，可以屏蔽外部电场，防止外部电磁辐射对于芯片的干扰，如此，有利于保证功率器件的工作性能，并延长功率器件的使用寿命。
功率器件

[发明专利]功率器件-CN201910763096.X在审
发明人：俞在炫;权义熙;D.W.郑;金宰浩;金晙赫;白康铉;李奎沃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上
功率器件

[发明专利]功率器件-CN201911148887.8在审
发明人：曾大杰 -专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件，由多个原胞并联而成，各原胞排列成阵列结构，各原胞的栅极导电材料层通过对应的栅极馈电线连接到栅极衬垫。各原胞的栅极电阻随对应的栅极馈电线的长度的增加而增加。本发明能消除各原胞的栅极馈电线的长度不同对各原胞的开关速率一致性造成的不利影响，从而能使各原胞的开关速率趋于一致，从而能使整个功率器件的开关速率均匀。
功率器件

[发明专利]功率器件-CN202111157803.4在审
发明人：刘利书 -专利权人：美垦半导体技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率器件。所述功率器件包括：第一控制电极、第二控制电极、第一电极和第二电极；其中，所述第一电极与所述第二电极之间具有半导体结构；所述第二控制电极用于在所述第一控制电极上的电压作用下，切换所述第一电极与所述第二电极之间的导通或截止状态
功率器件

[发明专利]功率器件-CN202310823581.8在审
发明人：陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；金属电极层具有背离宽带隙漂移层的顶面和面向终端区的第一侧壁该功率器件能够提高器件可靠性。
功率器件

[发明专利]功率器件-CN201410045884.2有效
发明人：郑玉宁;陈建国;杜蕾 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-08 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件，包括外延层、位于所述外延层中的器件区和位于所述器件区外围的终端结构；其中，所述终端结构包括位于所述器件区的外围，且位于所述外延层的表面内的变掺杂环区，所述变掺杂环区的导电类型与所述外延层的导电类型相反，所述变掺杂环区的掺杂浓度从其靠近所述器件区的区域向其外围区域递减；覆盖所述变掺杂环区的掺杂浓度发生变化的区域表面的场氧化层；覆盖所述场氧化层表面的第一介质层；位于所述第一介质层表面上的至少一个第一金属层本发明提供的功率器件，能改善浓度变化区域的电场分布，提高器件耐压性能。
功率器件

[发明专利]功率器件-CN201610152631.4有效
发明人：刘正东;宋贺伦 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种高频功率器件，其包括：相对设置的控制极焊盘和输出极焊盘；与所述控制极焊盘连接的控制极馈电端以及与所述输出极焊盘连接的输出极馈电端；其中，所述控制极馈电端与所述输出极馈电端相对设置；与所述控制极馈电端连接的控制极叉指以及与所述输出极馈电端连接的输出极叉指本发明通过调节各补偿元件，弥补高频信号在各叉指间的相位差别，从而避免各叉指工作不均匀，能大大提高器件的稳定性及放大特性。
功率器件

[发明专利]功率器件-CN201810778427.2有效
发明人：高桥彻雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件。抑制基板损坏。金属层(15)设置于基板(7)的主面(7a)侧。金属层(12)形成于金属层(15)之上。在金属层(12)之上设置有焊料层(Sd1)。
功率器件

[实用新型]功率器件-CN201420301467.5有效
发明人：黄泽军 -专利权人：深圳市锐骏半导体有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种功率器件，其包括有一框架、一芯片及一封装体，其中，所述框架包括有一载片、至少一位于所述载片上方的第一散热片及至少一连结所述载片边缘和第一散热片边缘的侧板；所述芯片设置于所述载片上且处于所述第一散热片的正下方藉由该第一散热片及侧板的设置，增加了整个器件的散热面积，提高了功率器件的散热效果，同时，使得该芯片处于由载片、第一散热片及侧板所围成的空间中，可以屏蔽外部电场，防止外部电磁辐射对于芯片的干扰，如此，有利于保证功率器件的工作性能，并延长功率器件的使用寿命。
功率器件

[实用新型]功率器件-CN201621164000.6有效
发明人：张邵华 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种功率器件。所述功率器件包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区的第一区域中的多个第二掺杂区；以及位于所述第一掺杂区的第二区域中的多个第三掺杂区，其中，所述多个第二掺杂区彼此隔开第一预定间距与所述第一掺杂区形成第一电荷补偿结构，所述第一电荷补偿结构和所述半导体衬底位于电流通道上，所述多个第三掺杂区彼此隔开第二预定间距，与所述第一掺杂区形成第二电荷补偿结构，所述第二电荷补偿结构用于分散所述功率器件连续的表面电场该功率器件不仅可以稳定器件的耐压，提高可靠性，而且可以降低导通电阻。
功率器件

[实用新型]功率器件-CN202020281715.X有效
发明人：李东升;章剑锋;朱林佩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，外延层包括漂移层，漂移层配置为第一导电类型；导柱，配置为第二导电类型，导柱位于外延层内；体区，配置为第二导电类型，体区位于外延层的背离衬底侧的表面根据本实用新型实施例的功率器件，隔离层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度，能够降低集电极与发射极之间的饱和电压，提高关断速度。
功率器件

[实用新型]功率器件-CN202020283778.9有效
发明人：李东升;章剑锋;朱林佩 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率器件，功率器件包括：外延层，设置有依次分布的多个晶体管单元，每个晶体管单元内形成有相互间隔设置的多个发射极沟槽和一个栅极沟槽且一个栅极沟槽设置于相邻两个发射极沟槽之间，发射极沟槽的深度大于栅极沟槽的深度本实用新型实施例提供的功率器件，能够满足功率器件的功能需求，同时能够降低功率器件的饱和压降以及关断损耗，优化功率器件的性能。
功率器件

[实用新型]功率器件-CN202020283708.3有效
发明人：李东升;章剑锋 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面；以及原胞结构，位于衬底的第一表面，其中原胞结构包括：沟槽，沟槽在第一表面上呈多边形延伸，从而具有拐角区域以及非拐角区域；栅绝缘层根据本实用新型实施例的功率器件，保证原胞结构中剩余的与沟槽的非拐角区域邻接的各处沟道的开启一致，提高功率器件的可靠性。
功率器件

[实用新型]功率器件-CN202020284192.4有效
发明人：李东升;章剑锋 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件，功率器件包括：外延层，外延层包括位于第二表面至第一表面之间预定厚度的漂移区，漂移区被配置为第一导电类型，外延层与厚度方向相垂直的横向上具有多个原胞结构；各原胞结构包括：冗余发射极沟槽
功率器件

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